Researches on Anti-reflection Coating (ARC) Methods Used in PV Systems

نویسندگان

چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Anti-Reflection Coating for Nitrogen-Vacancy Optical Measurements in Diamond

We realize anti-reflection (AR) coatings for optical excitation and fluorescence measurements of nitrogen-vacancy (NV) color centers in bulk diamond by depositing quarter-wavelength thick silica layers on the diamond surface. These AR coatings improve NV-diamond optical measurements by reducing optical reflection at the diamond-air interface from 17% to 2%, which allows more effective NV optica...

متن کامل

An Anti-Reflection Coating for Silicon Optics at Terahertz Frequencies

A method for reducing the reflections from silicon optics at terahertz frequencies has been investigated. In this study, we used thin films of parylene as an anti-reflection (AR) layer for silicon optics and show low-loss behavior well above 1 THz. Transmittance spectra are acquired on double-sided-parylene-coated, high-resistivity, single-crystal silicon etalons between 0.45 THz and 2.8 THz. M...

متن کامل

wind farm impact on generation adequacy in power systems

در سال های اخیر به دلیل افزایش دمای متوسط کره زمین، بشر به دنبال روش های جایگزین برای تامین توان الکتریکی مورد نیاز خود بوده و همچنین در اکثر نقاط جهان سوزاندن سوخت های فسیلی در نیروگاه های حرارتی به عنوان مهم ترین روش تولید توان الکتریکی مطرح بوده است. به دلیل توجه به مسایل زیست محیطی، استفاده از منابع انرژی تجدید پذیر در سال های اخیر شدت یافته است. نیروگاه های بادی به عنوان یک منبع تولید توان...

15 صفحه اول

Design of Silicon Nano-Bars Anti-Reflection Coating to Enhance Thin Film Solar Cells Efficiency

In this paper a novel anti-reflection (AR) coating based on silicon nano-bars is designed and its impact on the performance of crystalline silicon (c-Si) thin-film solar cells is extensively studied. Silicon nano-bars with optimized size and period are embedded on top of the active layer, under a 100nm Si3N4 layer. As a result of the proposed layer stack, an inhomogeneous intermediate layer wit...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Balkan Journal of Electrical and Computer Engineering

سال: 2018

ISSN: 2147-284X

DOI: 10.17694/bajece.402004